ファブフロアにおいて、アンダーフィルの空洞やスループットの遅延は理論上の話ではなく、失われたダイと達成できなかった目標として現れる。従来のキュアプロファイルは、熱遅延、温度勾配、再現性を損なう汚染リスクなど、あらゆる段階で障害となる。熱予算内に収まりながらも、ライン速度に追従できるキュアが必要である。
構築したものとその重要性
アンダーフィルのキュアを、短波長赤外線（NIR）を中心に厳密なスペクトル制御で設計した。エネルギーは基板ではなく材料に直接投入されるため、過熱なしにキュア時間を短縮する高速かつ体積加熱が可能となる。ホットゾーン全体で、ウェハーレベルの均一性は±0.1°Cに維持され、サイクルごとの再現性も安定している。
ハードウェアはクリーンルーム対応でClass 1–100に適合し、稼働中の粒子発生はゼロである。24時間365日の信頼性を考慮して設計されており、予期しないダウンタイムを排除する部品選定を行っている。
当社の作業に適合する理由
このプラットフォームは、ウェハードライ、フォトレジストのソフトベーク・ハードベーク、パッケージレベルのアンダーフィルキュア、クリーニング／乾燥の熱的動作に合わせている。フォトレジストベークはプロファイルが安定しドリフトがないため、ライン幅制御が厳密になり、欠陥マージンが拡大する。アンダーフィルのキュアは空洞がなく、ガラス転移およびCTEの挙動が予測可能で、リワークや歩留まり低下が減少する。
加熱はオンデマンドかつ効率的であるためエネルギー使用量が低減し、プロセスウィンドウは狭まるが、それは良好な意味での狭まりであり、逸脱やスクラップロットが減少する。
計画に必要な事項
NIRキュアは高速だが、厳密な熱管理とキャリアの放射率制御が求められる。統合期間は短いが、ピーク負荷に対応する電力、冷却、排気などのユーティリティの設置スペースは予算に含める必要がある。アンダーフィルの化学特性に合わせてプロファイルを調整し、計測とSPCで管理することで大量生産への移行を円滑にする。