Curado de underfill para IR de semiconductores

Wed, 03 Jun 2026 10:08:21 +0800

En planta, los vacíos en el underfill y el bajo rendimiento no se manifiestan como teoría. Se manifiestan como obleas perdidas y objetivos incumplidos. Los perfiles de curado convencionales dificultan el proceso en cada paso: retardo térmico, gradientes de temperatura y riesgo de contaminación que afectan la repetibilidad. Se requiere un curado que se mantenga dentro del presupuesto térmico y que, al mismo tiempo, siga el ritmo de la línea.

Qué construimos y por qué es importante
Diseñamos el curado de underfill alrededor de la infrarroja de onda corta (NIR) con un control espectral estricto. La energía se dirige directamente al material, no al sustrato. Esto proporciona un calentamiento volumétrico rápido que reduce el tiempo de curado sin sobrepasar la temperatura. En toda la zona caliente, la uniformidad a nivel de oblea se mantiene en ±0.1°C, y la repetibilidad es consistente ciclo tras ciclo.
El equipo está listo para sala limpia, es compatible con Clase 1–100 y opera sin generar partículas durante el proceso. Especificamos el sistema para una fiabilidad 24/7, seleccionando componentes que evitan paradas no planificadas.

Relleno Inferior on Extra Performance IR Heating

Curado de underfill para IR de semiconductores