Cura dell underfill per semiconduttori IR

Wed, 03 Jun 2026 10:08:21 +0800

Sulla linea di produzione, vuoti nell’underfill e un throughput rallentato non si manifestano come teoria. Si manifestano come chip persi e obiettivi mancati. I profili di cura convenzionali contrastano ogni fase del processo: ritardi termici, gradienti di temperatura e rischio di contaminazione che compromettono la ripetibilità. Serve una cura che rimanga all’interno del budget termico e che riesca comunque a mantenere il passo con la velocità di linea.

Cosa abbiamo sviluppato e perché è importante
Abbiamo impostato la cura dell’underfill attorno all’infrarosso a onde corte (NIR) con un controllo spettrale rigoroso. L’energia viene trasferita direttamente nel materiale, non nel substrato. Questo consente un riscaldamento volumetrico rapido che riduce i tempi di cura senza sforamenti. Nell’area di riscaldamento, l’uniformità a livello wafer si mantiene entro ±0,1°C e la ripetibilità resta costante ciclo dopo ciclo.
L’hardware è idoneo per camere bianche, compatibile con Classi 1–100, e funziona senza generare particelle durante l’operazione. Il sistema è progettato per operare 24/7, selezionando componenti che minimizzano i fermi non programmati.

Curatura on Extra Performance IR Heating

Cura dell underfill per semiconduttori IR